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地芯科技推出国产化多频多模线性PA:全球首款基于CMOS工艺
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簡介今天地芯科技舉辦新品發布會,正式推出了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS工藝技術平臺——地芯云騰,首款芯片的型號為GC0643,地芯科技稱將CMOS工藝引入到主流射頻前端市場,可以讓設計 ...
今天地芯科技舉辦新品發布會,正式推出了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS工藝技術平臺——地芯云騰,首款芯片的型號為GC0643,地芯科技稱將CMOS工藝引入到主流射頻前端市場,可以讓設計更加靈活,同時制造成本也有所降低,對于通信企業來說是一個不錯的消息。
地芯稱CMOS工藝是目前在集成電路設計中最為廣泛使用的一種方法,具有高集成度,低成本、漏電流低、導熱性好、設計靈活等特性,然而CMOS工藝也并非萬能,比如說擊穿電壓低以及線性度差就是兩個致命的缺點,對于射頻芯片來說尤其如此,對此地芯科技利用十余年研究線性CMOS工藝技術所取得的經驗與技術,終于克服了CMOS工藝擊穿電壓低、線性度差兩大難度,從而讓前端射頻芯片采用CMOS工藝成為了可能。
GC0643就是地芯利用CMOS工藝所打造的新一代前端射頻芯片,可以應用于3G/4G手機,LP-WAN設備,無線IoT模塊等領域,支持包括WCDMA、FDD LTE、TDD LTE等十余個頻段,基本滿足國內主流網絡通信的數據傳輸。同時GC0643實現了在3.4V的電源電壓下,在2.5G高頻段中正常工作,這是傳統CMOS工藝難以企及的,同時飽和功率也達到了32dBm,效率接近50%。而在-38dBc UTRA ACLR條件下的FOM值接近了70,已經和基于GaAs工藝打造的線性PA平起平坐。同時隨著GC0643的順利推出,未來線性CMOS PA進入30-36dBm的主流市場也成為了可能。
地芯科技CEO吳瑞礫在發布會上稱,CMOS工藝擁有極其靈活的設計性,對于射頻芯片的研發與制造十分有利,假如基于CMOS工藝打造的射頻芯片能夠完全解決高壓擊穿的問題,那么毫無疑問未來CMOS工藝將大有可為,而這也是CMOS PA設計最重要的課題之一。
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