目前大多數(shù)手機(jī)和輕薄本正在使用的內(nèi)存類型都是LPDDR5內(nèi)存，LPDDR5X則是性能更好的LPDDR5內(nèi)存，本質(zhì)上沒有區(qū)別。距離LPDDR5內(nèi)存上市已經(jīng)過(guò)去了5年多的時(shí)間了，也是時(shí)候開始準(zhǔn)備下一代內(nèi)存產(chǎn)品了。目前制定內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)就正式發(fā)布了JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率6（LPDDR6）標(biāo)準(zhǔn)。

核心參數(shù)方面，LPDDR6內(nèi)存的頻率將從10667Mbps起步，最高可達(dá)14400Mbps。同時(shí)其位寬也得到進(jìn)一步增加，單通道從16bit升級(jí)到24bit，這意味著通常使用四通道內(nèi)存的手機(jī)產(chǎn)品的內(nèi)存位寬從64bit升級(jí)到96bit，8通道的筆記本產(chǎn)品則是從的128bit升級(jí)到192bit，顯存帶寬顯然也是隨之大幅提升，對(duì)于集成顯卡的性能表現(xiàn)有著非常大的助力。

對(duì)比上一代LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)，全新的LPDDR6帶來(lái)了一系列改進(jìn)，從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、能耗優(yōu)化以及安全性上帶來(lái)了多項(xiàng)升級(jí)，包含雙重子通道架構(gòu)設(shè)計(jì)、VDD2供電以及PRAC每行激活計(jì)數(shù)的支持等等新功能和新設(shè)計(jì)，將會(huì)給用戶帶來(lái)更強(qiáng)的性能，更低的功耗以及更好的安全表現(xiàn)。JEDEC表示，JESD209-6旨在顯著提升多種應(yīng)用場(chǎng)景（包括移動(dòng)設(shè)備和人工智能）的內(nèi)存速度與效率，新版 JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)是內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

此前的消息顯示，三星可能將在今年下半年提供新一代LPDDR6內(nèi)存的量產(chǎn)，SK海力士和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也有望在年內(nèi)或者明年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著在今年下半年到明年上半年發(fā)布的新旗艦手機(jī)當(dāng)中，我們就有希望看到全新的LPDDR6內(nèi)存了，搭配新一代旗艦芯片能夠帶來(lái)怎樣的性能表現(xiàn)也十分值得期待。而輕薄本產(chǎn)品則有可能到2026年中甚至下半年才有希望用上新一代的LPDDR6內(nèi)存。

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