臺(tái)積電副總經(jīng)理張曉強(qiáng)日前透露，2nm制程工藝N2研發(fā)順利，目前256Mb SRAM芯片良品率已經(jīng)可以達(dá)到50%，研發(fā)目標(biāo)已經(jīng)完成80%以上，如果后續(xù)研發(fā)順利將會(huì)能夠按照之前預(yù)定的目標(biāo)在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)了解，臺(tái)積電2nm制程工藝將會(huì)放棄此前的FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）轉(zhuǎn)向GAA（環(huán)繞柵極晶體管），這將會(huì)使芯片在晶體管密度僅提升10-20%的同時(shí)，做到在相同功耗下速度提高10-15%或在相同速度下功耗降低25-30%。再被問(wèn)及臺(tái)積電是否會(huì)在日本建設(shè)工廠生產(chǎn)先進(jìn)芯片時(shí)，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總表示“不排除這種可能”，但目前已有大量消息顯示臺(tái)積電已經(jīng)在臺(tái)灣竹科基地建立試產(chǎn)生產(chǎn)線，并積極籌劃下一代芯片生產(chǎn)基地建設(shè)。

此外，有業(yè)內(nèi)人士稱2nm制程工藝芯片的報(bào)價(jià)將會(huì)直逼2.5萬(wàn)美元（折合人民幣約18.1萬(wàn)元），不過(guò)對(duì)比其在技術(shù)上的進(jìn)步而言價(jià)格并不算太過(guò)離譜，目前盡管整體半導(dǎo)體行業(yè)整體狀態(tài)目前略顯低迷，但臺(tái)積電仍然保持強(qiáng)勢(shì)的發(fā)展勢(shì)頭。如果臺(tái)積電在2nm制程工藝的研發(fā)方面發(fā)展順利，那么對(duì)于三星、英特爾等同行而言恐怕“彎道超車(chē)”的希望更加渺茫。

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